Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFRED® |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3V @ 16A |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
Current - Average Rectified (Io) | 16A |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 20µA @ 1200V |
Diode Type | Standard |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 135ns |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-2 Fused Center, TO-220AC |
Корпус | TO-220AC |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
40TPS12 |
|
Тиристор SCR 1200В, 35A, Igt=150mA
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
40TPS12 |
|
Тиристор SCR 1200В, 35A, Igt=150mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
40TPS12 |
|
Тиристор SCR 1200В, 35A, Igt=150mA
|
|
|
308.80
|
|
|
|
40TPS12 |
|
Тиристор SCR 1200В, 35A, Igt=150mA
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
IRG4PSH71U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный ультрабыстрое переключение 1200В, 99А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PSH71U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный ультрабыстрое переключение 1200В, 99А
|
|
|
891.32
|
|
|
|
IRG4PSH71U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный ультрабыстрое переключение 1200В, 99А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
LM324D |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324D |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ST MICROELECTRONICS
|
800
|
18.90
|
|
|
|
LM324D |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM324D |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
LM324D |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324D |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM324D |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
120
|
22.20
|
|
|
|
LM324D |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM324D |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
MOTOROLA
|
3
|
|
|
|
|
LM324D |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324D |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM324D |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
149
|
|
|
|
|
LM324D |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
68
|
|
|
|
|
LM324D |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM324D |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM324D |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
1
|
|
|
|
|
|
LM324D |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
132
|
|
|
|
|
КР1533ЛН1 |
|
ИМС транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ
|
|
41
|
55.20
|
|
|
|
КР1533ЛН1 |
|
ИМС транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛН1 |
|
ИМС транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛН1 |
|
ИМС транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛН1 |
|
ИМС транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ
|
ИНТЕГРАЛ
|
712
|
99.19
|
|
|
|
КР1533ЛН1 |
|
ИМС транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
|
|
12.68
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|