Версия для печати
Технические характеристики BCP53-16

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 2V
Power - Max	1W
Frequency - Transition	145MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

BCP53 Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250 Также в этом файле: BCP53-16 Производитель: Zetex Semiconductors //www.zetex.com BCP53-16 datasheet 812,32kB 7стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP	6	6.85
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC	301 416	1.34
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DC COMPONENTS	75 697	1.51
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	MCC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	UTC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)		52 951	1.36  >100 шт.   0.68
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD	325
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LI-SION TECHNOLOGY INC.
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP	4 345
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FSC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS-FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	27 200
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD	3 467	1.70
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	INFINEON	800	5.47
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY ME
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECH	597 943	1.32  >500 шт.   0.44
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ARK
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	АЛЕКСАНДРОВ
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LRC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KLS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NEXPERIA	222 419	1.23
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIODES
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PHILIPS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE (YJ)
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SEMTECH	220	1.42
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PJ	6 378	1.22
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE	1 916 894	1.08  >100 шт.   0.54
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YJ	776 976	1.08  >100 шт.   0.54
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JSCJ	177 231	1.70  >100 шт.   0.85
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP/NEXPERIA
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR	96 000	1.03
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SUNTAN	588	1.26  >500 шт.   0.42
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JINGDAO
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR ELECTRONICS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECCN	1 710	1.70
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	CJ
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGZHOU YANGJIE
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEEN SIDE	200 484	1.20  >500 шт.   0.40
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	2138
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	4334
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ASEMI	376 919	1.35  >500 шт.   0.45
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	19480	80	1.22  >100 шт.   0.61
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	22054
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	643
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	1054	80	1.24  >100 шт.   0.62
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	543	1	1.54
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	NXP
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	PHILIPS
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	ON SEMICONDUCTOR
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	PHILIPS	315
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	STMicroelectronics
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	КИТАЙ
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	INFINEON TECH
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	МАРОККО
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	МАЛАЙЗИЯ
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	ONS
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	ST MICROELECTRONICS
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	NXP	515
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250		32 881	4.33
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	DIODES
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	HOTTECH	108 172	4.08
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	LGE
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	KLS
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	SIKOR
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	SLKOR	5 893	4.83
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	YJ	177 484	3.92
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	JSCJ	5 683	3.96
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	1
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	SUNTAN
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	TRR	30 400	3.58
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	JY	10 214	4.10
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	ZH	5 680	5.59
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	NEXPERIA	336	5.57
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	KEEN SIDE	10 514	3.86
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	YANGJIE
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	20	1	3.42
		BCP56-16		Транзистор биполярный SMD, NPN, 80V, 1A, 2W, B:100-250	4000	40	3.94
		LM2903D		Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2903D		Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения	TEXAS INSTRUMENTS
		LM2903D		Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения	ON SEMICONDUCTOR	400	32.01
		LM2903D		Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения	PHILIPS
		LM2903D		Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения	ST MICROELECTRONICS
		LM2903D		Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения	ON SEMICONDUCTOR	14
		LM2903D		Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения	PHILIPS
		LM2903D		Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM2903D		Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения	STMicroelectronics
		LM2903D		Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения	МАРОККО
		LM2903D		Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения	ST MICROELECTR
		LM2903D		Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения	TEXAS INSTR
		LM2903D		Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения			28.00
		LM2903D		Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения	TEXAS
		LM2903D		Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения	1
		LM2903D		Сдвоенный компаратор с малым напряжением смещения	4-7 НЕДЕЛЬ	400
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTOR	4	1.73
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ONS	154	2.69
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTOR	794
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTO
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ONSEMICONDUCTOR
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	0.00
		MMBT5551LT1G			ON SEMICONDUCTOR	8	1.70
		MMBT5551LT1G			ONS
		MMBT5551LT1G			ON SEMICONDUCTOR	5 108
		MMBT5551LT1G				160	1.10
		MMBT5551LT1G			ON SEMICONDUCTO
		MMBT5551LT1G			ONSEMICONDUCTOR
		MMBT5551LT1G			SEMTECH
		MMBT5551LT1G			10

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"