FMMT560TA
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 500V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 10mA, 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 50mA, 10V |
| Power - Max | 500mW |
| Frequency - Transition | 60MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1913R | SANYO |
|
|
|||||
| 2SD1913R |
|
76.00 | ||||||
| 5 W 10 OHM | КИТАЙ |
|
|
|||||
| 5 W 10 OHM | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| BCV62A | NXP |
|
|
|||||
| BCV62A |
|
|
||||||
 |
 |
SS14 (SK14) (1A 40V) |
|
Диод шоттки 1A, 40В ,SMA.ELZET,SMD |
|
|
||
 |
|
STW12NK80Z |
|
N-MOS 800V, 10.5A, 190W | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STW12NK80Z |
|
N-MOS 800V, 10.5A, 190W | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STW12NK80Z |
|
N-MOS 800V, 10.5A, 190W | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
STW12NK80Z |
|
N-MOS 800V, 10.5A, 190W |
|
|
