NCP1216D100R2G
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Изоляция выхода | Isolated |
| Частотный диапозон | 90 ~ 110kHz |
| Напряжение входное | 10 V ~ 16 V |
| Рабочая температура | 0°C ~ 150°C |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SK2843 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 10A) | TOSHIBA | 9 | 170.10 | |
|
|
|
2SK2843 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 10A) | 1 | 437.22 | ||
|
|
|
2SK2843 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 10A) | TOS |
|
|
|
| BC807-40/T1 |
|
Транзистор биполярный SMD |
|
2.52 | ||||
| BC807-40/T1 |
|
Транзистор биполярный SMD | NXP |
|
|
|||
| BC807-40/T1 |
|
Транзистор биполярный SMD | NEXPERIA |
|
|
|||
| BYS10-45-E3/TR3 | VISHAY |
|
|
|||||
| BYS10-45-E3/TR3 | Vishay/General Semiconductor |
|
|
|||||
| BYS10-45-E3/TR3 | VISHAY | 32 |
|
|||||
| BYS10-45-E3/TR3 |
|
|
||||||
 |
HER108 (1A 1000V) |
|
|
|||||
 |
|
STW12NK80Z |
|
N-MOS 800V, 10.5A, 190W | ST MICROELECTRONICS | 20 | 335.85 | |
|
|
|
STW12NK80Z |
|
N-MOS 800V, 10.5A, 190W | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STW12NK80Z |
|
N-MOS 800V, 10.5A, 190W | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
STW12NK80Z |
|
N-MOS 800V, 10.5A, 190W |
|
|
