FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 20A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 33A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2020pF @ 25V |
Power - Max | 3.8W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRFB33N15D (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0603 270PF NPO 5% 50V | ||||||||
0805 X7R 0.1UF 50V 10% (К10-17 0.1МКФ) | Конденсатор чип 50В, 0,1мкФ, 10%, X7R | |||||||
GRM31MF51E105ZA01L | Керамический конденсатор 1 мкФ 25 В | MURATA | ||||||
GRM31MF51E105ZA01L | Керамический конденсатор 1 мкФ 25 В | MURATA | ||||||
GRM31MF51E105ZA01L | Керамический конденсатор 1 мкФ 25 В | Murata Electronics North America | ||||||
GRM31MF51E105ZA01L | Керамический конденсатор 1 мкФ 25 В | MUR | ||||||
GRM31MF51E105ZA01L | Керамический конденсатор 1 мкФ 25 В | 10.80 | ||||||
SE555DR | Texas Instruments | |||||||
SE555DR | ||||||||
SE555DR | TEXAS | |||||||
SE555P | Таймер (TTL-Compatible Output, Vtres=10.6V@Vcc=15V, T=–55°C to 125°C) | TEXAS INSTRUMENTS | ||||||
SE555P | Таймер (TTL-Compatible Output, Vtres=10.6V@Vcc=15V, T=–55°C to 125°C) | TEXAS | ||||||
SE555P | Таймер (TTL-Compatible Output, Vtres=10.6V@Vcc=15V, T=–55°C to 125°C) | TEXAS INSTRUMENTS | ||||||
SE555P | Таймер (TTL-Compatible Output, Vtres=10.6V@Vcc=15V, T=–55°C to 125°C) | МЕКСИКА | ||||||
SE555P | Таймер (TTL-Compatible Output, Vtres=10.6V@Vcc=15V, T=–55°C to 125°C) | 110.40 |
|