|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC393D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Счетчик двоичный 4- бит х 2
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC393D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Счетчик двоичный 4- бит х 2
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC393D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Счетчик двоичный 4- бит х 2
|
|
30
|
18.50
|
|
|
|
74HC393D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Счетчик двоичный 4- бит х 2
|
PHILIPS
|
33
|
21.00
|
|
|
|
74HC393D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Счетчик двоичный 4- бит х 2
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC393D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Счетчик двоичный 4- бит х 2
|
NXP
|
459
|
|
|
|
|
74HC393D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Счетчик двоичный 4- бит х 2
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
74HC393D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Счетчик двоичный 4- бит х 2
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
74HC393D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Счетчик двоичный 4- бит х 2
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
74HC393D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Счетчик двоичный 4- бит х 2
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
190
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
|
|
16.60
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
MUR
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех.
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
SE555DR |
|
|
Texas Instruments
|
|
|
|
|
|
SE555DR |
|
|
|
|
|
|
|
|
SE555DR |
|
|
TEXAS
|
8
|
22.36
|
|
|
|
SE555DR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
349
|
|
|
|
|
SH010M0470B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 10 В
|
YAGEO
|
636
|
30.56
|
|
|
|
SH010M0470B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 10 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SH010M0470B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 10 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
203
|
29.44
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
1 875
|
34.12
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
3 892
|
37.80
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|