| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DC COMPONENTS
|
14 785
|
1.80
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
12.49
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
|
4 124
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
4
|
12.49
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
CJ
|
4
|
2.17
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
|
BZX85C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=5.1V, Izt-45mA
|
|
120
|
15.12
|
|
|
|
|
BZX85C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=5.1V, Izt-45mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BZX85C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=5.1V, Izt-45mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BZX85C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=5.1V, Izt-45mA
|
FAIRCHILD
|
11 274
|
|
|
|
|
|
BZX85C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=5.1V, Izt-45mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BZX85C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=5.1V, Izt-45mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZX85C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=5.1V, Izt-45mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
BZX85C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=5.1V, Izt-45mA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BZX85C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=5.1V, Izt-45mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BZX85C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=5.1V, Izt-45mA
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IR2127S |
|
Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=12/18В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IR2127S |
|
Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=12/18В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
|
|
|
165.20
|
|
|
|
|
IR2127S |
|
Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=12/18В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
IR2127S |
|
Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=12/18В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
104
|
|
|
|
|
|
IR2127S |
|
Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=12/18В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IR2127S |
|
Драйвер одноканальный. Uсм=600В, Uвых=12/18В, Iвых=0.2/0.42A, Uвых в фазе с Uвх
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
600
|
|
|
|
|
IRFB33N15D |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFB33N15D |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
|
|
|
|
|
IRFB33N15D |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFB33N15D |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
IRFB33N15D |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SE555P |
|
Таймер (TTL-Compatible Output, Vtres=10.6V@Vcc=15V, T=–55°C to 125°C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
SE555P |
|
Таймер (TTL-Compatible Output, Vtres=10.6V@Vcc=15V, T=–55°C to 125°C)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
SE555P |
|
Таймер (TTL-Compatible Output, Vtres=10.6V@Vcc=15V, T=–55°C to 125°C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
SE555P |
|
Таймер (TTL-Compatible Output, Vtres=10.6V@Vcc=15V, T=–55°C to 125°C)
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
SE555P |
|
Таймер (TTL-Compatible Output, Vtres=10.6V@Vcc=15V, T=–55°C to 125°C)
|
|
|
110.40
|
|
|
|
|
SE555P |
|
Таймер (TTL-Compatible Output, Vtres=10.6V@Vcc=15V, T=–55°C to 125°C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
596
|
|
|