IRF1407
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8 mOhm @ 78A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 100A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 250nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5600pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF1407 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 470МКФ 25В CR 85° (10X10.2) ЧИП КОНДЕНСАТОРЫ JAMICON |
|
|
||||||
 |
 |
FR607 (6А,1000В) |
|
Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс | CHINA |
|
|
|
| L78M08ABDT-1 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| L78M08ABDT-1 |
|
77.72 | ||||||
| L78M08ABDT-1 | МАРОККО |
|
|
|||||
| L78M08ABDT-1 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 788 |
|
|||||
|
|
LM317D2T |
|
Микросхема регулятор напряжения 1.2-37V | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
LM317D2T |
|
Микросхема регулятор напряжения 1.2-37V | ST MICROELECTRONICS | 80 | 63.24 | ||
|
|
LM317D2T |
|
Микросхема регулятор напряжения 1.2-37V | ON SEMICONDUCTOR | 52 | 63.24 | ||
|
|
LM317D2T |
|
Микросхема регулятор напряжения 1.2-37V | 6 | 48.00 | |||
|
|
LM317D2T |
|
Микросхема регулятор напряжения 1.2-37V | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
LM317D2T |
|
Микросхема регулятор напряжения 1.2-37V | ST MICROELECTRONICS SEMI | 30 |
|
||
|
|
LM317D2T |
|
Микросхема регулятор напряжения 1.2-37V | 4-7 НЕДЕЛЬ | 280 |
|
