Версия для печати
Технические характеристики BFP450

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	5V
Frequency - Transition	24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)	1.25dB @ 1.8GHz
Gain	15.5dB
Power - Max	450mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 50mA, 4V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-82A, SOT-343
Корпус	PG-SOT343-4

BFP450 NPN Silicon RF Transistor (For medium power amplifiers) Производитель: Siemens Semiconductor Group //www.infineon.com BFP450 datasheet 52.49Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

ВЧ транзисторы (биполярные)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC3356		Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	NEC
		2SC3356		Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz		12 000	2.29
		2SC3356		Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	UNKNOWN
		2SC3356		Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	ISC
		2SC3356		Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	ISCSEMI
		2SC3356		Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	TECH PUB	22 833	1.79
		2SC3357		Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	NEC
		2SC3357		Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт			62.64
		2SC3357		Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	ISC	81	21.18
		2SC3357		Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	КИТАЙ
		2SC3357		Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	ISCSEMI
		2SC3357		Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	ICS COMPONENTS	152	27.53
		2SC3357		Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	TECH PUB	1 116	4.73
		BFG540/X		СВЧ 9 ГГц 15В/120мA/0.4 Вт	NXP
		BFG540/X		СВЧ 9 ГГц 15В/120мA/0.4 Вт	PHILIPS
		BFG540/X		СВЧ 9 ГГц 15В/120мA/0.4 Вт			27.68
		BFG540/X		СВЧ 9 ГГц 15В/120мA/0.4 Вт	NXP
		BFG540/X		СВЧ 9 ГГц 15В/120мA/0.4 Вт	PHILIPS
		BFG540/X		СВЧ 9 ГГц 15В/120мA/0.4 Вт	КИТАЙ
		BFG540/X		СВЧ 9 ГГц 15В/120мA/0.4 Вт	1
		RFPIC12F675F-I/SS			MICRO CHIP
		RFPIC12F675F-I/SS					368.60
		RFPIC12F675F-I/SS			Microchip Technology
		RFPIC12F675F-I/SS			MICRO CHIP
		RFPIC12F675F-I/SS			США
		RFPIC12F675F-I/SS			СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		RFPIC12F675F-I/SS			4-7 НЕДЕЛЬ	640
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...		416	31.28
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	КРЕМНИЙ	1 600	28.35
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	БРЯНСК	561	37.80
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	МИНСК	3 172	37.80
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ЗПП МИНСК
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	RUS
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"