|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BFG591 |
|
Биполярные транзисторы 15В, 0,2А,7000МГц, 2Вт
|
NXP
|
6
|
145.20
|
|
|
|
BFG591 |
|
Биполярные транзисторы 15В, 0,2А,7000МГц, 2Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFG591 |
|
Биполярные транзисторы 15В, 0,2А,7000МГц, 2Вт
|
|
|
|
|
|
|
BFG591 |
|
Биполярные транзисторы 15В, 0,2А,7000МГц, 2Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFG591 |
|
Биполярные транзисторы 15В, 0,2А,7000МГц, 2Вт
|
|
|
|
|
|
|
LM555CN |
|
ИМС Таймер NMOS
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM555CN |
|
ИМС Таймер NMOS
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
LM555CN |
|
ИМС Таймер NMOS
|
|
1
|
410.76
|
|
|
|
LM555CN |
|
ИМС Таймер NMOS
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM555CN |
|
ИМС Таймер NMOS
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM555CN |
|
ИМС Таймер NMOS
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM555CN |
|
ИМС Таймер NMOS
|
NS
|
|
|
|
|
|
LM555CN |
|
ИМС Таймер NMOS
|
FSC
|
|
|
|
|
|
LM555CN |
|
ИМС Таймер NMOS
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM555CN |
|
ИМС Таймер NMOS
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
LM555CN |
|
ИМС Таймер NMOS
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
256
|
|
|
|
|
MAX1472AKAT |
|
ИМС передатчика АМ диапазона 300...400МГц , до 100кбит/с, ФАПЧ с кварцевым генератором.
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
3 040
|
232.97
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
|
184
|
200.03
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
MCHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
PIC16F628A-I/P |
|
8- бит микроконтроллер (MCU) 3.5 Кб, 224 RAM, 2Kx14 Flash, 16I/O, 20MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
618
|
|
|
|
|
КТ610Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный, для ...
|
|
14
|
793.80
|
|
|
|
КТ610Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный, для ...
|
МИНСК
|
|
|
|