| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
1 448
|
3.35
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIC
|
37 820
|
2.13
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ
|
49 707
|
3.01
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
3 692
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
21
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
80
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
240
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
КИТАЙ
|
204
|
3.18
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
43 351
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DIODES INC.
|
14
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MMC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
|
2 319
|
7.40
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
JY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SUNTAN
|
6 553
|
1.37
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE
|
2 400
|
2.31
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SEMTECH
|
7 212
|
1.23
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIС
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST/YJ
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
10
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
68
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
876
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
98
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
542
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RUME
|
1 912
|
1.21
|
|
|
|
|
ECAP 1000/16V 1015 105C SH |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 16 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
DC COMPONENTS
|
3
|
12.34
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
|
4 876
|
5.01
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
MIC
|
5 560
|
9.63
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
YJ
|
9 608
|
8.59
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
KLS
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
YANGJIE
|
12 003
|
9.07
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
1
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
SUNTAN
|
66
|
7.55
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
XSEMI
|
227
|
4.69
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
KOME
|
1 920
|
7.60
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
YS
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
KEEN SIDE
|
1 280
|
3.57
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
HOTTECH
|
1 600
|
7.32
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
RUME
|
976
|
4.01
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
81.20
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
|
15
|
79.55
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
24
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
MINOS
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
EVVO
|
10 768
|
13.63
|
|
|
|
IRG4PC50U |
|
Транзистор IGBT (Ultrafast) модуль единичный 600В, 55A, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50U |
|
Транзистор IGBT (Ultrafast) модуль единичный 600В, 55A, 200Вт
|
|
|
380.56
|
|
|
|
IRG4PC50U |
|
Транзистор IGBT (Ultrafast) модуль единичный 600В, 55A, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50U |
|
Транзистор IGBT (Ultrafast) модуль единичный 600В, 55A, 200Вт
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50U |
|
Транзистор IGBT (Ultrafast) модуль единичный 600В, 55A, 200Вт
|
INFINEON
|
|
|
|