BC817-40LT1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BC817-40LT1		1.68

Версия для печати

Технические характеристики BC817-40LT1

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	100MHz
Power - Max	225mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	250 @ 100mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	700mV @ 50mA, 500mA
Корпус	SOT-23-3
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC817-40LT1 (Универсальные биполярные транзисторы)

General Purpose Transistors NPN Silicon

Также в этом файле: BC817-40LT1G, SBC817-40LT1

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

BC817-40LT1 datasheet
62.39Kb
4стр.