| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1SS355TE-17 |
|
|
ROHM
|
8 366
|
1.13
|
|
|
|
|
1SS355TE-17 |
|
|
ROHM
|
1 752
|
|
|
|
|
|
1SS355TE-17 |
|
|
|
7 200
|
5.55
|
|
|
|
|
1SS355TE-17 |
|
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
 |
 |
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
|
1
|
167.58
|
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
2SD2499 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
SANYO
|
12
|
126.00
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
SAN
|
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
PMC
|
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
США
|
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
|
32
|
126.00
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
PHILIPS
|
44
|
126.00
|
|
|
|
|
BU508AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 35W, Tf<1uS
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
|
L5973D |
|
ИМС РЕГ направленный 2.5A HSOP8
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
L5973D |
|
ИМС РЕГ направленный 2.5A HSOP8
|
|
|
222.00
|
|
|
|
|
L5973D |
|
ИМС РЕГ направленный 2.5A HSOP8
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
L5973D |
|
ИМС РЕГ направленный 2.5A HSOP8
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
L5973D |
|
ИМС РЕГ направленный 2.5A HSOP8
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
L5973D |
|
ИМС РЕГ направленный 2.5A HSOP8
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
L5973D |
|
ИМС РЕГ направленный 2.5A HSOP8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
493
|
|
|
|
|
|
STTH1R06A |
|
Ультра быстрый диод, чип, 600В, 1А, 25нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
14 287
|
10.16
|
|
|
|
|
STTH1R06A |
|
Ультра быстрый диод, чип, 600В, 1А, 25нс
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STTH1R06A |
|
Ультра быстрый диод, чип, 600В, 1А, 25нс
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STTH1R06A |
|
Ультра быстрый диод, чип, 600В, 1А, 25нс
|
|
3 200
|
6.79
|
|
|
|
|
STTH1R06A |
|
Ультра быстрый диод, чип, 600В, 1А, 25нс
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
Версия для печати
