| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
22 718
|
1.37
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
2 200
|
1.73
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
3 046
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
2 130
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIODES INC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
|
101 461
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
266 186
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
LRC
|
1 600
|
2.07
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KOME
|
10
|
1.50
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
106
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
85 762
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
TRR ELECTRONICS
|
348
|
1.15
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NEXPERIA
|
58
|
1.21
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
XXW
|
175
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CTK
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
94 852
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
ASEMI
|
52 280
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
4605
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
ELZET
|
110 400
|
0.96
>500 шт. 0.32
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
TRR
|
139 200
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
VISHAY
|
2 400
|
2.12
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
NXP
|
3 732
|
2.12
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
|
40 150
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
DC COMPONENTS
|
15 010
|
1.16
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
FAIRCHILD
|
13 296
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
NEXPERIA
|
35
|
1.98
>100 шт. 0.99
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
DIOTEC
|
2 354
|
2.85
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
PHI
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
HOTTECH
|
9 612
|
2.07
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
KLS
|
12 000
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
YJ
|
280 122
|
2.07
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
JSCJ
|
59 051
|
1.01
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
SUNTAN
|
109
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
4666
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
XXW
|
1 323
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
800
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
TRR
|
2 384
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
RUME
|
9 600
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
|
80 460
|
2.72
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
DIODES INC.
|
406
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIRCHILD
|
23
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YJ
|
40
|
15.50
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SEP
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
16 000
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
HOTTECH
|
64 576
|
3.89
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
3 812
|
10.82
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LGE
|
7 700
|
7.18
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ASEMI
|
1 398
|
2.63
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SUNTAN
|
1 456
|
3.01
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
TRR
|
7 200
|
2.42
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SUNCO
|
1 351
|
3.04
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
4469
|
|
|
|
|
|
RS205 |
|
Диодный мост 2А 600В RS-2
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
RS205 |
|
Диодный мост 2А 600В RS-2
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
RS205 |
|
Диодный мост 2А 600В RS-2
|
|
8 480
|
6.59
|
|
|
|
RS205 |
|
Диодный мост 2А 600В RS-2
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
RS205 |
|
Диодный мост 2А 600В RS-2
|
MIC
|
3 564
|
7.10
|
|
|
|
RS205 |
|
Диодный мост 2А 600В RS-2
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
RS205 |
|
Диодный мост 2А 600В RS-2
|
KEEN SIDE
|
2 201
|
6.11
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
|
4 608
|
7.28
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
GALAXY
|
327
|
11.56
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
YJ
|
5 046
|
9.99
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
MIC
|
1 142
|
8.71
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
122
|
13.54
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
---
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
HOTTECH
|
10 244
|
5.47
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
SEP
|
298
|
6.90
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
SEMTECH
|
8
|
20.93
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
MICRO COMMERCIAL CO
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
ASEMI
|
10 712
|
6.83
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
TRR
|
3 200
|
4.62
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
KEEN SIDE
|
2 961
|
4.49
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
3013
|
|
|
|