| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
13 627
|
3.06
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
2 120
|
2.12
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
3 046
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
2 130
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIODES INC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
|
101 421
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
11 497
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
LRC
|
1 600
|
2.07
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KOME
|
10
|
1.74
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
28
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
46 384
|
2.16
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
TRR ELECTRONICS
|
40
|
1.34
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NEXPERIA
|
26
|
1.51
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
1.15
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
XXW
|
156
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CTK
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
75 612
|
1.23
>500 шт. 0.41
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
ASEMI
|
1 730
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
4605
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
ELZET
|
64 400
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
TRR
|
136 800
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
DC COMPONENTS
|
3 709
|
7.72
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
|
965
|
2.73
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YJ
|
32 355
|
6.70
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
MIC
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
КИТАЙ
|
52
|
24.20
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KLS
|
3 192
|
9.30
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KOME
|
336
|
5.08
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
LGE
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
HOTTECH
|
72 012
|
4.00
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE
|
8 280
|
5.19
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SEP
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ASEMI
|
3
|
3.47
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSCJ
|
77
|
13.49
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KUU
|
17 467
|
2.23
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
RUME
|
2 400
|
2.15
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
TRR
|
38 400
|
2.34
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSMICRO
|
22 680
|
2.68
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
8
|
7.91
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KEEN SIDE
|
80
|
3.23
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
8560
|
|
|
|
|
|
ECM-4F-(P) |
|
|
|
72 576
|
9.07
|
|
|
|
ECM-4F-(P) |
|
|
RUICHI
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
|
3 888
|
5.58
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
GALAXY
|
327
|
14.49
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
YJ
|
4 678
|
9.15
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
MIC
|
3 029
|
14.33
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
---
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
HOTTECH
|
5 701
|
5.77
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
122
|
16.90
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
SEP
|
298
|
8.84
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
SEMTECH
|
8
|
24.33
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
ASEMI
|
21 822
|
7.12
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
TRR
|
1 200
|
5.03
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
MICRO COMMERCIAL CO
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
KEEN SIDE
|
1 196
|
5.17
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
3013
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
|
12 463
|
10.51
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
9 762
|
14.46
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
128
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
1013
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
264
|
|
|
|