| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
1
|
10.79
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
238 545
|
2.37
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
44 218
|
2.79
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
47 671
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
1 404 163
|
1.09
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
426
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
85 559
|
1.16
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.36
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
2 865
|
2.39
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 499 166
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
466 794
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
122 963
|
1.87
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
263 200
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
266
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
8 384
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 686
|
1.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
166 340
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
38
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOUYANGJIEEL
|
591 996
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
VISHAY
|
2 400
|
1.79
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
NXP
|
3 572
|
1.79
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
|
28 150
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
DC COMPONENTS
|
7 720
|
1.49
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
FAIRCHILD
|
13 296
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
NEXPERIA
|
35
|
1.05
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
DIOTEC
|
2 098
|
2.93
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
PHI
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
HOTTECH
|
8 186
|
2.07
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
KLS
|
12 000
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
YJ
|
274 580
|
2.07
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
JSCJ
|
51 719
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
SUNTAN
|
75
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
4666
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
XXW
|
6 129
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
800
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
TRR
|
2 384
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
RUME
|
9 600
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
DC COMPONENTS
|
4 511
|
7.12
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
|
965
|
2.96
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YJ
|
32 587
|
4.55
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
MIC
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
КИТАЙ
|
52
|
24.20
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KLS
|
3 264
|
9.30
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KOME
|
296
|
4.69
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
LGE
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
HOTTECH
|
41 624
|
3.09
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE
|
8 280
|
4.89
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SEP
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ASEMI
|
6
|
3.19
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSCJ
|
77
|
11.40
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KUU
|
19 467
|
1.85
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
RUME
|
4 800
|
2.05
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
TRR
|
45 600
|
2.22
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSMICRO
|
38 700
|
2.47
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
8
|
6.78
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KEEN SIDE
|
80
|
2.87
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
8560
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
|
4 208
|
6.40
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
GALAXY
|
327
|
13.35
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
YJ
|
4 838
|
9.36
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
MIC
|
3 032
|
13.20
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
122
|
14.47
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
---
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
HOTTECH
|
6 501
|
5.44
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
SEP
|
270
|
9.95
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
SEMTECH
|
8
|
22.40
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
MICRO COMMERCIAL CO
|
|
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
ASEMI
|
25 170
|
6.56
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
TRR
|
2 000
|
4.74
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
KEEN SIDE
|
2 836
|
4.77
|
|
|
|
RS207 |
|
Диодный мост 1000В, 2А(50А имп.)
|
3013
|
|
|
|
|
|
SA10-21GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 25.4мм, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
KB
|
|
|
|
|
|
SA10-21GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 25.4мм, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
SA10-21GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 25.4мм, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
|
|
104.00
|
|
|
|
SA10-21GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 25.4мм, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SA10-21GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 25.4мм, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SA10-21GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 25.4мм, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SA10-21GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 25.4мм, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
KGB
|
5
|
249.69
|
|