К73- 9 100 В 0.082 МКФ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
К176ЛЕ5	4 двухвходовых базовых элемента ИЛИ с инверсией выходного сигнала.		2 668	21.08
К176ЛЕ5	4 двухвходовых базовых элемента ИЛИ с инверсией выходного сигнала.	НЗПП
К176ЛЕ5	4 двухвходовых базовых элемента ИЛИ с инверсией выходного сигнала.	ДНЕПР
К176ЛЕ5	4 двухвходовых базовых элемента ИЛИ с инверсией выходного сигнала.	ХАБАРОВСК	160	16.96
К176ЛЕ5	4 двухвходовых базовых элемента ИЛИ с инверсией выходного сигнала.	ХЕРСОН
К176ЛП2			1 785	16.40
К176ЛП2		ХАБАРОВСК	25	10.60
К176ЛП2		НЗПП
К176ЛП2		32
К284СС2А			36	119.90
К284СС2А		НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
К284СС2А		НОВОСИБИРСК	332	42.40
КТ315Д ЖЕЛТ.	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...
КТ315Д ЖЕЛТ.	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...	НАЛЬЧИК
КТ315Д ЖЕЛТ.	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...	1900
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		2 126	33.30
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	880	26.55
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	1 451	38.16
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК	431	25.44
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1801
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	290