Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ДИОДЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		RC1206JR-0710M		Чип-резистор 0.125/0.25Вт,1206,5%, 10 М	PHYCOMP
		RC1206JR-0710M		Чип-резистор 0.125/0.25Вт,1206,5%, 10 М	YAGEO
		RC1206JR-0710M		Чип-резистор 0.125/0.25Вт,1206,5%, 10 М	PHYCOMP
		RC1206JR-0710M		Чип-резистор 0.125/0.25Вт,1206,5%, 10 М	YAGEO
		Д 814 А		Стабилитрон кремниевый сплавный средней мощности 7,7 В, 6 Ом, Iмакс - 40 мА	RUS
		К284СС2А				36	119.90
		К284СС2А			НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
		К284СС2А			НОВОСИБИРСК	332	42.40
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 984	33.30
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	880	26.55
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	1 672	38.16
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК	431	25.44
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1801
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	290
		ММТ-1-6,2 КОМ-20%				410	5.55

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"