| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
Д 814 А |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный средней мощности 7,7 В, 6 Ом, Iмакс - 40 мА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К284СС2А |
|
|
|
36
|
119.90
|
|
|
|
|
К284СС2А |
|
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К284СС2А |
|
|
НОВОСИБИРСК
|
332
|
35.80
|
|
|
|
|
КД105Б |
|
Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА
|
|
11 345
|
3.70
|
|
|
|
|
КД105Б |
|
Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
|
КД105Б |
|
Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД105Б |
|
Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
|
КД105Б |
|
Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
2 126
|
33.30
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
880
|
26.55
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
1 451
|
32.22
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
407
|
21.48
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1801
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
290
|
|
|
|
|
|
|
ММТ-1-6,2 КОМ-20% |
|
|
|
326
|
5.55
|
|
Версия для печати
