| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CC1206KKX7RBBB103 |
|
Керамический конденсатор 0.01мкФ, 10% , 500В, X7R, 1206
|
YAGEO
|
101 700
|
1.22
|
|
|
|
CC1206KKX7RBBB103 |
|
Керамический конденсатор 0.01мкФ, 10% , 500В, X7R, 1206
|
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7RBBB103 |
|
Керамический конденсатор 0.01мкФ, 10% , 500В, X7R, 1206
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX7RBBB103 |
|
Керамический конденсатор 0.01мкФ, 10% , 500В, X7R, 1206
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
Д 814 А |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный средней мощности 7,7 В, 6 Ом, Iмакс - 40 мА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К284СС2А |
|
|
|
36
|
119.90
|
|
|
|
|
К284СС2А |
|
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
К284СС2А |
|
|
НОВОСИБИРСК
|
332
|
37.20
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
2 126
|
33.48
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
880
|
26.55
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
1 451
|
33.48
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
407
|
22.32
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1801
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
290
|
|
|
|
|
|
|
ММТ-1-6,2 КОМ-20% |
|
|
|
326
|
5.58
|
|