|
|
Версия для печати
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 14A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 8.4A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 640pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Корпус | TO-251 |
|
IRFR024 (N-канальные транзисторные модули) HEXFET POWER MOSFET Также в этом файле: IRFU024
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680) | ST MICROELECTRONICS | 400 | 28.35 | ||
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680) | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680) | 43 | 70.30 | |||
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680) | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
||
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680) | STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680) | ЭЛЬТАВ |
|
|
||
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680) | 43 | 70.30 | |||
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680) | FSC1 |
|
|
||
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680) | ST MICROELECTRO |
|
|
||
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680) | 1 |
|
|
||
|
|
|
HER508 (5A 1000V) |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В |
|
|
||
| UC3842-8 |
|
|
||||||
|
|
UC3844TN | ST MICROELECTRONICS | 26 | 49.14 | ||||
|
|
UC3844TN |
|
|
|||||
| КЦ105Д | 30 | 55.50 | ||||||
| КЦ105Д | ИЗОТОП | 90 | 84.00 | |||||
| КЦ105Д | ЗОНД |
|
|
|||||
| КЦ105Д | ИРКУТСК |
|
|