| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| SCR Type | Sensitive Gate |
| Voltage - Off State | 600V |
| Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
| Voltage - On State (Vtm) (Max) | 2.2V |
| Current - On State (It (AV)) (Max) | 2.55A |
| Current - On State (It (RMS)) (Max) | 4A |
| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200µA |
| Current - Hold (Ih) (Max) | 3mA |
| Current - Off State (Max) | 10µA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 20A @ 60Hz |
| Рабочая температура | -40°C ~ 110°C |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-225-3 |
| Корпус | TO225AA |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
2SB817C |
|
PNP 160V, 12A, 100W, 15MHz (Comp. 2SD1047)
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
|
2SB817C |
|
PNP 160V, 12A, 100W, 15MHz (Comp. 2SD1047)
|
|
|
281.20
|
|
|
|
|
2SB817C |
|
PNP 160V, 12A, 100W, 15MHz (Comp. 2SD1047)
|
SAN
|
|
|
|
 |
 |
BTB04-600SL |
|
Симистор на 4А, 600В
|
ST MICROELECTRONICS
|
26
|
103.85
|
|
|
|
|
BTB04-600SL |
|
Симистор на 4А, 600В
|
|
14
|
86.94
|
|
|
|
|
BTB04-600SL |
|
Симистор на 4А, 600В
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
BTB04-600SL |
|
Симистор на 4А, 600В
|
1
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
|
|
592.00
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
США
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MAC4DHMT4G |
|
Симистор 600 В 4 А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MAC4DHMT4G |
|
Симистор 600 В 4 А
|
|
|
28.00
|
|
|
|
|
MAC4DHMT4G |
|
Симистор 600 В 4 А
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MAC4DHMT4G |
|
Симистор 600 В 4 А
|
LTL
|
|
|
|
|
|
|
MAC4DHMT4G |
|
Симистор 600 В 4 А
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
26
|
53.88
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
|
|
63.88
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
MJE2955T |
|
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...
|
PEACOCK
|
4
|
13.15
|
|
Версия для печати
