Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
SCR Type | Sensitive Gate |
Voltage - Off State | 600V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
Voltage - On State (Vtm) (Max) | 2.2V |
Current - On State (It (AV)) (Max) | 2.55A |
Current - On State (It (RMS)) (Max) | 4A |
Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200µA |
Current - Hold (Ih) (Max) | 3mA |
Current - Off State (Max) | 10µA |
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 20A @ 60Hz |
Рабочая температура | -40°C ~ 110°C |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-225-3 |
Корпус | TO225AA |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BYS10-45-E3/TR |
|
Диод Шоттки 45В, 1,5А, 500нс
|
VISHAY
|
5 261
|
8.28
|
|
|
|
BYS10-45-E3/TR |
|
Диод Шоттки 45В, 1,5А, 500нс
|
Vishay/General Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BYS10-45-E3/TR |
|
Диод Шоттки 45В, 1,5А, 500нс
|
|
|
|
|
|
|
KID65003AP |
|
|
KEC
|
|
|
|
|
|
KID65003AP |
|
|
|
|
90.40
|
|
|
|
KID65003AP |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
53
|
|
|
|
|
KID65003AP (ULN2003A) |
|
|
|
|
|
|
|
|
ST1S10PHR |
|
Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).
|
ST MICROELECTRONICS
|
18 580
|
75.07
|
|
|
|
ST1S10PHR |
|
Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).
|
|
2 427
|
64.73
|
|
|
|
ST1S10PHR |
|
Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
ST1S10PHR |
|
Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
ST1S10PHR |
|
Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
ST1S10PHR |
|
Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
ST1S10PHR |
|
Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
ST1S10PHR |
|
Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
273
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
|
4
|
340.00
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|