Версия для печати
Технические характеристики C106M1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
SCR Type	Sensitive Gate
Voltage - Off State	600V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max)	800mV
Voltage - On State (Vtm) (Max)	2.2V
Current - On State (It (AV)) (Max)	2.55A
Current - On State (It (RMS)) (Max)	4A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)	200µA
Current - Hold (Ih) (Max)	3mA
Current - Off State (Max)	10µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)	20A @ 60Hz
Рабочая температура	-40°C ~ 110°C
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-225-3
Корпус	TO225AA

C106 (Традиционные тиристоры (SCR)) Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors Также в этом файле: C106M1G Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com C106M1G datasheet 62.72Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Тиристоры

 » 

Тиристоры - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SB817C		PNP 160V, 12A, 100W, 15MHz (Comp. 2SD1047)	SANYO
		2SB817C		PNP 160V, 12A, 100W, 15MHz (Comp. 2SD1047)			281.20
		2SB817C		PNP 160V, 12A, 100W, 15MHz (Comp. 2SD1047)	SAN
		BTB04-600SL		Симистор на 4А, 600В	ST MICROELECTRONICS	250	44.72
		BTB04-600SL		Симистор на 4А, 600В		14	86.94
		BTB04-600SL		Симистор на 4А, 600В	STMicroelectronics
		BTB04-600SL		Симистор на 4А, 600В	1
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FSC
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В			592.00
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	Fairchild Semiconductor
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	США
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS-FAIR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ON SEMICONDUCTOR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS
		ST1S10PHR		Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	ST MICROELECTRONICS	19 329	75.07
		ST1S10PHR		Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).		2 467	64.73
		ST1S10PHR		Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	ST MICROELECTRONICS SEMI
		ST1S10PHR		Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	STMicroelectronics
		ST1S10PHR		Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	КИТАЙ
		ST1S10PHR		Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	ST MICROELECTRO
		ST1S10PHR		Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	STMICROELECTR
		ST1S10PHR		Импульсный стабилизатор (Vin=2.5 to 18V, Vout=0.8 to 15.3V, I=3A).	4-7 НЕДЕЛЬ	273
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый		4	340.00
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	STMicroelectronics
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	КИТАЙ
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"