|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
| Power - Max | 60W |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220 |
|
MJD44H11 COMPLEMENTARY SILICON PNP TRANSISTORS
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BD711 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 12A 75W | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||
|
|
BD711 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 12A 75W |
|
57.36 | |||
|
|
BD711 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 12A 75W | STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
|
MJE3055T |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MJE3055T |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100 | ST MICROELECTRONICS | 456 | 34.82 | |
|
|
|
MJE3055T |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100 | 3 | 103.32 | ||
|
|
|
MJE3055T |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100 | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
MJE3055T |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100 | МАВРИТАНИЯ |
|
|
|
|
|
|
MJE3055T |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100 | ST1 |
|
|
|
|
|
|
MJE3055T |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100 | ST MICROELECTRO |
|
|
|
|
|
|
MJE3055T |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100 | MULTICOMP |
|
|