Версия для печати
Технические характеристики FQP50N06L

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 26.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	52.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	32nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1630pF @ 25V
Power - Max	121W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220

FQP50N06L (MOSFET) 60V LOGIC N-Channel MOSFET Производитель: Fairchild Semiconductor FQP50N06L datasheet 694.4 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5088G		Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц	ON SEMICONDUCTOR
		2N5088G		Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц	ONS
		2N5088G		Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц	ON SEMICONDUCTOR	33
		2N5088G		Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц	ON SEMICONDUCTO
		2N5088G		Транзистор NPN, 30В, 50мA, 50МГц			46.72
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	VISHAY
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт			13.60
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	КИТАЙ
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON	54
		MJE3055T		Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100	ON SEMICONDUCTOR
		MJE3055T		Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100	ST MICROELECTRONICS	163	76.10
		MJE3055T		Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100		3	103.32
		MJE3055T		Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100	STMicroelectronics
		MJE3055T		Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100	МАВРИТАНИЯ
		MJE3055T		Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100	ST1
		MJE3055T		Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100	ST MICROELECTRO
		MJE3055T		Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100	MULTICOMP
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		1 082	33.48
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	807	32.79
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	УЛЬЯНОВСК
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	20	38.80
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМН
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	1103
		КТ819А				304	36.80
		КТ819А			КРЕМНИЙ	80	78.08
		КТ819А			МИНСК
		КТ819А			БРЯНСК
		КТ819А			УЛЬЯНОВСК
		КТ819А			ИНТЕГРАЛ
		КТ819А			ТРАНЗИСТОР
		КТ819А			2
		КТ819А			354

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"