| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BAS316/T1 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS316/T1 |
|
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
|
50
|
60.48
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
HGSEMI
|
3 964
|
23.00
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
308
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 600
|
3.20
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
286 376
|
2.68
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
17 885
|
4.87
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
12 170
|
2.15
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
21 805
|
5.28
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEEN SIDE
|
11 804
|
2.36
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
2386
|
1
|
2.47
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEXIN
|
7 200
|
2.91
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
RUME
|
91 200
|
3.28
|
|
|
|
|
MSP430F249TPM |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
MSP430F249TPM |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MSP430F249TPM |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
MSP430F249TPM |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
MSP430F249TPM |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
62
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
КВАРЦИТ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г ЖЕЛТ. |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
ТОМСК
|
|
|
|