| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
800
|
7.81
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
DC COMPONENTS
|
4 647
|
1.55
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
1 511
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 245
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
9 632
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
3 040
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
|
39 066
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
MICRO COMMERCIA
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
HOTTECH
|
61 081
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
PHI
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
PANJIT
|
32 000
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
KLS
|
34
|
1.44
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
YOUTAI
|
2 856
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
JSCJ
|
18 774
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
YJ
|
363 919
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
YANGJIE
|
24 000
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
MIC
|
38 400
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NSP
|
5 273
|
2.12
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
KEEN SIDE
|
24 800
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
6592
|
|
|
|
|
|
LM2904 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель, T = -40 … +105°C
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM2904 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель, T = -40 … +105°C
|
|
|
|
|
|
|
LM2904 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель, T = -40 … +105°C
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
К293КП13П |
|
(5П19 Т1) (260В 1А) , Реле средней мощности переменного тока, корпус SIP12
|
|
|
432.00
|
|
|
|
К293КП13П |
|
(5П19 Т1) (260В 1А) , Реле средней мощности переменного тока, корпус SIP12
|
ПРОТОН
|
515
|
805.60
|
|
|
|
К293КП13П |
|
(5П19 Т1) (260В 1А) , Реле средней мощности переменного тока, корпус SIP12
|
ИЗЛУЧАТЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
К293КП13П |
|
(5П19 Т1) (260В 1А) , Реле средней мощности переменного тока, корпус SIP12
|
ПРОТОН
|
|
|
|
|
|
К293КП13П |
|
(5П19 Т1) (260В 1А) , Реле средней мощности переменного тока, корпус SIP12
|
4
|
|
|
|
|
|
К293КП13П |
|
(5П19 Т1) (260В 1А) , Реле средней мощности переменного тока, корпус SIP12
|
500
|
|
|
|
|
|
|
КР140УД17А |
|
(OP-07DP)
|
МИКРО-М
|
2 072
|
122.96
|
|
|
|
|
КР140УД17А |
|
(OP-07DP)
|
|
18
|
92.00
|
|
|
|
|
КР140УД17А |
|
(OP-07DP)
|
КВАЗАР
|
24
|
122.96
|
|
|
|
|
КР140УД17А |
|
(OP-07DP)
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КР140УД17А |
|
(OP-07DP)
|
МИКРОМ
|
|
|
|
|
|
|
КР140УД17А |
|
(OP-07DP)
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КР140УД17А |
|
(OP-07DP)
|
11
|
|
|
|
|
|
|
КР140УД17А |
|
(OP-07DP)
|
1900
|
|
|
|
|
|
|
КР140УД17А |
|
(OP-07DP)
|
30
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
|
1 642
|
12.88
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
КРЕМНИЙ
|
537
|
12.49
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
БРЯНСК
|
5 252
|
13.14
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
6666
|
|
|
|