BCW66G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BCW66G		5.16

Версия для печати

Технические характеристики BCW66G

Корпус	SOT-23
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	100MHz
Power - Max	350mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	160 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max)	20nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BCW 65

NPN Silicon AF Transistors (For general AF applications High current gain)

Также в этом файле: BCW 66G

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BCW66G datasheet
137.97Kb
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805-LQM21F10UHN		MURATA
0805-NP0-33PF 5% 50V	Керамический конденсатор 33 пФ, 50 В, 5%	MURATA
0805-NP0-33PF 5% 50V	Керамический конденсатор 33 пФ, 50 В, 5%		91	1.24
CDRH124NP-390MC		SUMIDA
CDRH124NP-390MC				108.00
HCF4051M013TR	Anal Mtpx Dem Mtpx	ST MICROELECTRONICS
HCF4051M013TR	Anal Mtpx Dem Mtpx		37	37.80
HCF4051M013TR	Anal Mtpx Dem Mtpx	ST MICROELECTRONICS SEMI
HCF4051M013TR	Anal Mtpx Dem Mtpx	STMicroelectronics
HCF4051M013TR	Anal Mtpx Dem Mtpx	МАЛАЙЗИЯ
HCF4051M013TR	Anal Mtpx Dem Mtpx	ST MICROELECTR
HCF4051M013TR	Anal Mtpx Dem Mtpx	МЕКСИКА
HCF4051M013TR	Anal Mtpx Dem Mtpx	ST MICROELECTRO
HCF4051M013TR	Anal Mtpx Dem Mtpx	4-7 НЕДЕЛЬ	569
ST232BDR			784	54.33
ST232BDR		ST MICROELECTRONICS	1 608	53.22
ST232BDR		ST MICROELECTRONICS SEMI
ST232BDR		STMicroelectronics
ST232BDR		МАРОККО
ST232BDR		ST MICROELECTRO
ST232BDR		STMICROELECTR
ST232BDR		YOUTAI	12 067	26.24
ST232BDR		UMW	3 680	26.86
ST232BDR		UMW-YOUTAI
ST232BDR		4-7 НЕДЕЛЬ	68