Версия для печати
Технические характеристики BCW66G

Корпус	SOT-23
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	100MHz
Power - Max	350mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	160 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max)	20nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

BCW 65 NPN Silicon AF Transistors (For general AF applications High current gain) Также в этом файле: BCW 66G Производитель: Siemens Semiconductor Group //www.infineon.com BCW66G datasheet 137.97Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	FAIR
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	FSC
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)		84	11.34
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	NXP
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	NXP	48
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	Fairchild Semiconductor
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	ONS
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	ТАИЛАНД
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		BC517		Транзистор биполярный составной NPN (Uce=30V, Ic=0.5A, P=625mW, f>220MHz, -65 to +150C)	ONS-FAIR
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	INFINEON
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	PHILIPS
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	NXP	40	5.58
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz		23 417	3.02
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	-
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	PHILIPS
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	NXP
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	ГОНКОНГ
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	КИТАЙ	1 040	4.65
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	HOTTECH	3 904	1.86
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	KLS
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	NEX-NXP
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	DIOTEC	321	7.65
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	ASEMI
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	YJ	520	5.17
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	YIXING
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	JSCJ	13 876	6.83
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	1
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	KOME	837	4.86
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	XSEMI	5 348	3.20
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	KEXIN	8 886	2.51
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	YANGZHOU YANGJIE
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	KEEN SIDE
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	RUME	4 000	1.89
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	95
		BCX56-16		Транзистор биполярный SMD NPN 80V, 1A, 1.3W, 130MHz	4021
		ECAP 470/10V 0611 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 10 В, 105C	JAMICON
		ECAP 470/10V 0611 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 10 В, 105C			8.00
		ECAP 470/10V 0611 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 10 В, 105C	JAM
		ECAP 470/10V 0611 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 10 В, 105C	JB
		SG6841D		ШИМ контроллер 10-20В, 70кГц	SGC
		SG6841D		ШИМ контроллер 10-20В, 70кГц		5	272.16
		SG6841D		ШИМ контроллер 10-20В, 70кГц	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SG6841D		ШИМ контроллер 10-20В, 70кГц	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SG6841D		ШИМ контроллер 10-20В, 70кГц	4-7 НЕДЕЛЬ	644
		SK025M0470B3F-0815		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В	YAGEO
		SK025M0470B3F-0815		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SK025M0470B3F-0815		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SK025M0470B3F-0815		Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"