BCW66G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BCW66G		5.16

Версия для печати

Технические характеристики BCW66G

Корпус	SOT-23
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	100MHz
Power - Max	350mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	160 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max)	20nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BCW 65

NPN Silicon AF Transistors (For general AF applications High current gain)

Также в этом файле: BCW 66G

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BCW66G datasheet
137.97Kb
6стр.