Версия для печати
Технические характеристики PIC16F689-I/SS

Корпус (размер)	20-SSOP (0.209", 5.30mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Тип осцилятора	Internal
Преобразователи данных	A/D 12x10b
Напряжение источника (Vcc/Vdd)	2 V ~ 5.5 V
Размер памяти	256 x 8
EEPROM Size	256 x 8
Тип программируемой памяти	FLASH
Размер программируемой памяти	7KB (4K x 14)
Число вводов/выводов	18
Периферия	Brown-out Detect/Reset, POR, WDT
Подключения	I²C, SPI, UART/USART
Скорость	20MHz
Процессор	PIC
Размер ядра	8-Bit
Серия	PIC® 16F
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Микроконтроллеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DS1820			MAXIM
		DS1820			DALLAS
		DS1820					450.00
		DS1820			DALLAS
		DS1820			4-7 НЕДЕЛЬ	652
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	FAIR
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	FSC
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA		23	42.40
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	FAI/QTC
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	FAIRCHILD
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	Fairchild Optoelectronics Group
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	США
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	FAIRCHILD	814	42.40
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	ONS	1 288	34.74
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	ONS-FAIR
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	ON SEMICONDUCTOR	6	42.40
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	ONSEMICONDUCTOR
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	YOUTAI	748	23.54
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	UMW
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	ONSEMI
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	41
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	8
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	20	1	6.09
		PIC10F202-I/MC		512x12 Flash 4I/O 4MHz	MICRO CHIP
		PIC10F202-I/MC		512x12 Flash 4I/O 4MHz
		PIC10F202-I/MC		512x12 Flash 4I/O 4MHz	Microchip Technology
		PIC10F202-I/MC		512x12 Flash 4I/O 4MHz	4-7 НЕДЕЛЬ	564
		PIC12C509A-04/SM		1Kx12 OTP 6I/O 4MHz	MICRO CHIP
		PIC12C509A-04/SM		1Kx12 OTP 6I/O 4MHz			211.60
		PIC12C509A-04/SM		1Kx12 OTP 6I/O 4MHz	MICRO CHIP
		PIC12C509A-04/SM		1Kx12 OTP 6I/O 4MHz	Microchip Technology
		PIC12C509A-04/SM		1Kx12 OTP 6I/O 4MHz	MOTOROLA
		PIC12C509A-04/SM		1Kx12 OTP 6I/O 4MHz	4-7 НЕДЕЛЬ	152
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		2 194	17.64
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	507	14.84
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЭЛЕКС
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"