|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
KEC
|
80
|
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
PHILIPS
|
800
|
6.43
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
DC COMPONENTS
|
2 776
|
2.57
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
DIOTEC
|
6 270
|
5.66
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
219
|
1.98
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
HUASHAN
|
|
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
|
69 600
|
1.31
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
PHI
|
|
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
HOTTECH
|
8
|
2.13
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
KLS
|
5
|
2.09
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BC547B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=500mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
LGE
|
14 300
|
2.04
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
|
|
4.92
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
PHILIPS
|
5 564
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
JSCJ
|
9 610
|
2.29
|
|
|
|
DS1820 |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS1820 |
|
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS1820 |
|
|
|
|
450.00
|
|
|
|
DS1820 |
|
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS1820 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
176
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
|
32
|
42.00
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
США
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FAIRCHILD
|
830
|
42.00
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
ONS
|
2 592
|
49.08
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
30
|
42.00
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
YOUTAI
|
60
|
15.56
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
UMW
|
176
|
42.36
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
ONSEMI
|
16
|
40.62
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
3 152
|
15.12
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
515
|
12.47
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|