| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
|
32 000
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
PHILIPS
|
5 564
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
ONS-FAIR
|
39
|
7.72
|
|
|
|
BC557 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
JSCJ
|
3 531
|
3.63
|
|
|
|
DS1820 |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS1820 |
|
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS1820 |
|
|
|
|
450.00
|
|
|
|
DS1820 |
|
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS1820 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
652
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
|
23
|
42.40
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
США
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FAIRCHILD
|
814
|
42.40
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
ONS
|
1 280
|
34.74
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
6
|
42.40
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
YOUTAI
|
740
|
28.91
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
UMW
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
ONSEMI
|
16
|
25.65
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
41
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
8
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
20
|
|
|
|
|
|
|
PIC12C509A-04/SM |
|
1Kx12 OTP 6I/O 4MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
PIC12C509A-04/SM |
|
1Kx12 OTP 6I/O 4MHz
|
|
|
211.60
|
|
|
|
|
PIC12C509A-04/SM |
|
1Kx12 OTP 6I/O 4MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
PIC12C509A-04/SM |
|
1Kx12 OTP 6I/O 4MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
PIC12C509A-04/SM |
|
1Kx12 OTP 6I/O 4MHz
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
PIC12C509A-04/SM |
|
1Kx12 OTP 6I/O 4MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
152
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
2 185
|
17.64
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
507
|
14.84
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|