Версия для печати
Технические характеристики PIC10F202-I/MC

Корпус (размер)	8-VFDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Тип осцилятора	Internal
Напряжение источника (Vcc/Vdd)	2 V ~ 5.5 V
Размер памяти	24 x 8
Тип программируемой памяти	FLASH
Размер программируемой памяти	768B (512 x 12)
Число вводов/выводов	3
Периферия	POR, WDT
Скорость	4MHz
Размер ядра	8-Bit
Процессор	PIC
Серия	PIC® 10F
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Микроконтроллеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления			4.92
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS	5 564
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	ONS-FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	9 610	2.29
		DS1820			MAXIM
		DS1820			DALLAS
		DS1820					450.00
		DS1820			DALLAS
		DS1820			4-7 НЕДЕЛЬ	176
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	FAIR
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	FSC
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA		32	42.00
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	FAI/QTC
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	FAIRCHILD
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	Fairchild Optoelectronics Group
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	США
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	FAIRCHILD	830	42.00
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	ONS	2 592	49.08
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	ONS-FAIR
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	ON SEMICONDUCTOR	30	42.00
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	ONSEMICONDUCTOR
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	YOUTAI	60	15.56
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	UMW	176	43.39
		MOC3052M		Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA	ONSEMI	16	40.62
		PIC12C509A-04/SM		1Kx12 OTP 6I/O 4MHz	MICRO CHIP
		PIC12C509A-04/SM		1Kx12 OTP 6I/O 4MHz			211.60
		PIC12C509A-04/SM		1Kx12 OTP 6I/O 4MHz	MICRO CHIP
		PIC12C509A-04/SM		1Kx12 OTP 6I/O 4MHz	Microchip Technology
		PIC12C509A-04/SM		1Kx12 OTP 6I/O 4MHz	MOTOROLA
		PIC12C509A-04/SM		1Kx12 OTP 6I/O 4MHz	4-7 НЕДЕЛЬ	49
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		3 152	15.12
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	515	12.47
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЭЛЕКС
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"