| Current - On State (It (AV)) (Max) | 16A |
| Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.25V |
| Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 2V |
| Voltage - Off State | 1200V |
| SCR Type | Sensitive Gate |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Current - On State (It (RMS)) (Max) | 25A |
| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 45mA |
| Current - Hold (Ih) (Max) | 100mA |
| Current - Off State (Max) | 500µA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 350A @ 50Hz |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
|
39 874
|
63.00
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
БРЕСТ
|
860
|
53.70
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН
|
156
|
77.60
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
САРАНСК
|
153
|
53.70
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
1527
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
|
24
|
20.80
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIRCHILD
|
8
|
7.50
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIRCHILD
|
5
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
OTHER
|
266
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ONS-FAIR
|
32
|
19.64
|
|
|
|
HFA16TB120 |
|
Ультрабыстрый диод 16А, 1200В, 151Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
HFA16TB120 |
|
Ультрабыстрый диод 16А, 1200В, 151Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
28
|
225.09
|
|
|
|
HFA16TB120 |
|
Ультрабыстрый диод 16А, 1200В, 151Вт
|
|
|
391.44
|
|
|
|
HFA16TB120 |
|
Ультрабыстрый диод 16А, 1200В, 151Вт
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
26.55
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
|
240
|
2.75
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
28
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
HOTTECH
|
491 176
|
3.60
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
YOUTAI
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
KEEN SIDE
|
16 408
|
2.11
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
21
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
RUME
|
12 000
|
1.34
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
TRR
|
9 600
|
2.62
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
352
|
34.10
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns
|
|
11
|
75.60
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns
|
1
|
|
|
|
|
|
LM311P |
|
Компаратор одноканальный+-18V 200ns
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
631
|
|
|