|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ES3D |
|
Диод
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
ES3D |
|
Диод
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
ES3D |
|
Диод
|
FSC
|
|
|
|
|
|
ES3D |
|
Диод
|
|
7 280
|
3.33
|
|
|
|
ES3D |
|
Диод
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
ES3D |
|
Диод
|
FAIRCHILD
|
3 659
|
|
|
|
|
ES3D |
|
Диод
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
30
|
|
|
|
|
ES3D |
|
Диод
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
ES3D |
|
Диод
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
1 200
|
|
|
|
|
ES3D |
|
Диод
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
ES3D |
|
Диод
|
YJ
|
161 762
|
14.46
|
|
|
|
ES3D |
|
Диод
|
ONS
|
|
|
|
|
|
ES3D |
|
Диод
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
ES3D |
|
Диод
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
ES3D |
|
Диод
|
YANGJIE
|
7 200
|
3.62
|
|
|
|
ES3D |
|
Диод
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
ES3D |
|
Диод
|
KLS
|
104
|
5.46
|
|
|
|
ES3D |
|
Диод
|
HOTTECH
|
8 002
|
6.82
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
|
|
130.80
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
США
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
ONS
|
182
|
210.98
|
|
|
|
FR207 (2A 1000V) |
|
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
671
|
63.74
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
|
4 000
|
32.13
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
623
|
|
|
|
|
ГТС609Б |
|
|
|
23
|
55.50
|
|
|
|
ГТС609Б |
|
|
|
23
|
55.50
|
|