IRFP260MPBF
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 28A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 50A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 234nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4057pF @ 25V |
| Power - Max | 300W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех. | MURATA |
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех. |
|
16.60 | ||
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех. | MURATA |
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех. | MUR |
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех. | Murata Electronics North America |
|
|
|
| IRFP250MPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRFP250MPBF | INFINEON |
|
|
|||||
| PIC16F676-E/SL | MICRO CHIP | 880 | 159.00 | |||||
| PIC16F676-E/SL |
|
342.80 | ||||||
| PIC16F676-E/SL | Microchip Technology |
|
|
|||||
| PIC16F676-E/SL | ТАИЛАНД |
|
|
|||||
| PIC16F676-E/SL | 4-7 НЕДЕЛЬ | 777 |
|
|||||
|
|
UC2823DW | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
UC2823DW |
|
467.88 | |||||
|
|
UC2823DW | TEXAS |
|
|
||||
|
|
UC2823DW | 4-7 НЕДЕЛЬ | 355 |
|
||||
| КР531ТЛ3 |
|
37.88 | ||||||
| КР531ТЛ3 | ЭТАЛ |
|
|
|||||
| КР531ТЛ3 | ЭЛЬТАВ |
|
|
