IRFP260MPBF
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 28A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 50A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 234nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4057pF @ 25V |
| Power - Max | 300W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFP250MPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRFP250MPBF | INFINEON |
|
|
|||||
| L7824ABD2T-TR | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| L7824ABD2T-TR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| L7824ABD2T-TR | КИТАЙ |
|
|
|||||
| L7824ABD2T-TR | 852 | 40.70 | ||||||
| КР531ТЛ3 |
|
37.88 | ||||||
| КР531ТЛ3 | ЭТАЛ |
|
|
|||||
| КР531ТЛ3 | ЭЛЬТАВ |
|
|
|||||
 |
 |
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | 234 | 29.44 | ||
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | КРЕМНИЙ | 532 | 28.35 | |
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | БРЯНСК | 3 848 | 37.80 | |
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | ТРАНЗИСТОР |
|
|
|
| КЭВ-10-1 ГОМ-5% |
|
|
