STB18NM60N
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 285 mOhm @ 6.5A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | MDmesh™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 13A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1000pF @ 50V |
| Power - Max | 110W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 150080YS75000WL-SMCW0805YELLOW | WURTH ELECTRONICS |
|
|
|||||
| 150120YS75000WL-SMCW1206YELLOW | WURTH ELECTRONICS |
|
|
|||||
| HFA08TB60SPBF |
|
Быстровосстанавливающийся диод Vобр = 600V, Iпр = 8A | VISHAY |
|
|
|||
| HFA08TB60SPBF |
|
Быстровосстанавливающийся диод Vобр = 600V, Iпр = 8A |
|
|
||||
| HV9961LG-G | SUP |
|
|
|||||
| HV9961LG-G | 1 216 | 208.72 | ||||||
| HV9961LG-G | MICRO CHIP | 296 | 361.62 | |||||
| HV9961LG-G | SUPERTEX |
|
|
|||||
| HV9961LG-G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 367 |
|
|||||
| RC1206FR-071RL | YAGEO | 714 620 |
1.50 >500 шт. 0.50 |
|||||
| RC1206FR-071RL |
|
|
