HFA08TB60SPBF
Быстровосстанавливающийся диод Vобр = 600V, Iпр = 8A
Версия для печати
Технические характеристики HFA08TB60SPBF
| Производитель | VISHAY |
| Количество в упаковке | 50 шт. |
| Вес | 2.360 г |
| Bag Type | 600 В |
| Tape Width - Max | 1 x 8 А |
| Bushing Thread | 55 нс |
| Число шагов | 1.7 В |
| Technology | 1 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
|
|
154.80
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
|
FQPF3N80C |
|
800v n-channel mosfet
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz
|
|
|
377.52
|
|
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PF50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SPP20N60S5 |
|
N-MOS 600V, 20A, 208W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SPP20N60S5 |
|
N-MOS 600V, 20A, 208W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
SPP20N60S5 |
|
N-MOS 600V, 20A, 208W
|
|
|
|
|
|
|
|
SPP20N60S5 |
|
N-MOS 600V, 20A, 208W
|
|
|
|
|
|
|
|
VS-HFA15TB60-N3 |
|
|
VISHAY
|
96
|
144.65
|
|
|
|
|
VS-HFA15TB60-N3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
VS-HFA16TB120-N3 |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
VS-HFA16TB120-N3 |
|
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
VS-HFA16TB120-N3 |
|
|
|
|
|
|
