MB1S-TP
|
IC RECT BRIDGE 0.5A 100V MBS-1 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
| Current - DC Forward (If) | 500mA |
| Diode Type | Single Phase |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-269AA |
| Корпус | MBS-1 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1SS355TE-17 | ROHM | 5 982 |
1.58 >100 шт. 0.79 |
|||||
| 1SS355TE-17 | ROHM | 1 752 |
|
|||||
| 1SS355TE-17 | 7 200 | 5.55 | ||||||
| 1SS355TE-17 | Rohm Semiconductor |
|
|
|||||
| CRCW120668R1FKEA | VISHAY |
|
|
|||||
| CRCW120668R1FKEA | VISHAY | 25 806 |
|
|||||
| CRCW120668R1FKEA | Vishay/Dale |
|
|
|||||
| CRCW120675R0FKTA | VISHAY |
|
|
|||||
| CRCW120675R0FKTA | VISHAY | 10 000 |
|
|||||
| CRCW120675R0FKTA | Vishay/Dale |
|
|
|||||
| GS1B | MICRO SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| GS1B | DC COMPONENTS | 5 812 |
1.92 >100 шт. 0.96 |
|||||
| GS1B |
|
|
||||||
| GS1B | MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI) |
|
|
|||||
| GS1B | MICROSEMI CORP | 7 056 |
|
|||||
| GS1B | YT |
|
|
|||||
| GS1B | YJ | 7 328 | 1.41 | |||||
| КП303Г9 |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ... |
|
|
