КТ814Г9

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
КТ814Г9	12	63.00
КТ814Г9	12	63.00
КТ814Г9 (МИНСК)	32	42.40
КТ814Г9 (ИНТЕГРАЛ)	266	41.38

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1206-NP0-2200PF 5% 50V	Керамический конденсатор 2200 пФ 50 В	KOME
1206-NP0-2200PF 5% 50V	Керамический конденсатор 2200 пФ 50 В			7.20
RC1206FR-0747R	Резистор SMD 1206 47 Ом 0.25Вт 1%	VITROHM
RC1206FR-0747R	Резистор SMD 1206 47 Ом 0.25Вт 1%	YAGEO
RC1206FR-0747R	Резистор SMD 1206 47 Ом 0.25Вт 1%	VITROHM
RC1206FR-0747R	Резистор SMD 1206 47 Ом 0.25Вт 1%	YAGEO
TL431( WS )36V 0.5%
КР159НТ1Е			125	37.48
КР159НТ1Е		ТОНДИ	776	3.18
КР159НТ1Е		635
КР159НТ1Е		71
КР159НТ1Е		828
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		135	29.44
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	1 200	33.57
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 818	38.16
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1150
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	3240