| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
GS1B |
|
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
GS1B |
|
|
DC COMPONENTS
|
5 972
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
|
GS1B |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
GS1B |
|
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
|
GS1B |
|
|
MICROSEMI CORP
|
7 056
|
|
|
|
|
|
GS1B |
|
|
YT
|
|
|
|
|
|
|
GS1B |
|
|
YJ
|
7 328
|
1.43
|
|
|
|
|
MCR18EZHF1500 |
|
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
|
MCR18EZHF1500 |
|
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
|
MCR18EZHF1500 |
|
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
S42180 |
|
Светодиод мощности 4Вт нейтр. белый 61Лм
|
SEOUL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
S42180 |
|
Светодиод мощности 4Вт нейтр. белый 61Лм
|
|
|
214.00
|
|
|
|
|
WZ10150 |
|
Светодиод мощности 2Вт белый 105Лм 120°
|
SEOUL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
WZ10150 |
|
Светодиод мощности 2Вт белый 105Лм 120°
|
|
|
136.80
|
|
 |
 |
КТ819Г |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,
|
|
747
|
101.20
|
|
|
|
|
КТ819Г |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,
|
КРЕМНИЙ
|
407
|
85.89
|
|
|
|
|
КТ819Г |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,
|
БРЯНСК
|
1 608
|
95.40
|
|
|
|
|
КТ819Г |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ819Г |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ819Г |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ819Г |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ819Г |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,
|
1956
|
|
|
|
|
|
|
КТ819Г |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,
|
80
|
|
|
|
Версия для печати
