КТ814Г9

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
КТ814Г9	12	63.00
КТ814Г9	12	63.00
КТ814Г9 (МИНСК)	32	42.40
КТ814Г9 (ИНТЕГРАЛ)	266	41.38

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CC1206KKX7R9BB105	Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, (10%), 1206, 50В	YAGEO	234 981	1.08
CC1206KKX7R9BB105	Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, (10%), 1206, 50В			33.48
CC1206KKX7R9BB105	Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, (10%), 1206, 50В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
CC1206KKX7R9BB105	Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, (10%), 1206, 50В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
RC1206JR-073KL		YAGEO	118 683	0.90 >1000 шт. 0.18
RC1206JR-073KL		YAGEO
RC1206JR-073KL
К73-17 1МКФ 250В
КТ361Б ЖЕЛТ.	Транзистор структуры PNP усилительный
КТ361Б ЖЕЛТ.	Транзистор структуры PNP усилительный	НАЛЬЧИК	12 068	2.12
КТ361Б ЖЕЛТ.	Транзистор структуры PNP усилительный	19086
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		800	28.70
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	400	32.79
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	61 366	33.92
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	САРАНСК
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	31985
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	44836