IRF7240
Hexfet power mosfets discrete p-channel
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 10.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 9250pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7240 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DG611DY-E3 | VISHAY |
|
|
|||||
| DG611DY-E3 | Vishay/Siliconix |
|
|
|||||
 |
NJM78L03UA-TE1 | MATSUSHITA |
|
|
||||
|
|
NJM78L03UA-TE1 | JRC | 4 410 | 26.81 | ||||
|
|
NJM78L03UA-TE1 |
|
42.00 | |||||
|
|
NJM78L03UA-TE1 | NJR |
|
|
||||
|
|
NJM78L03UA-TE1 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 238 |
|
||||
| NJM79L05UA-TE1 | NEW JAPAN RADIO |
|
|
|||||
| NJM79L05UA-TE1 | JRC |
|
|
|||||
| NJM79L05UA-TE1 |
|
43.56 | ||||||
| NJM79L05UA-TE1 | NEW JAPAN RADIO |
|
|
|||||
| NJM79L05UA-TE1 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 784 |
|
|||||
 |
 |
REF198FS |
|
ИОН, 4.096В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, -40°С:+85°C | ANALOG DEVICES |
|
|
|
|
|
|
REF198FS |
|
ИОН, 4.096В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, -40°С:+85°C |
|
880.00 | ||
|
|
|
REF198FS |
|
ИОН, 4.096В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, -40°С:+85°C | 4-7 НЕДЕЛЬ | 292 |
|
|
 |
|
TSM 1212S |
|
DC/DC, 1Вт, вход 10.8:13.2V DC, выход 12V/80мA, изоляция 1000V DC, корпус SMD ... | TRACO |
|
|
|
|
|
|
TSM 1212S |
|
DC/DC, 1Вт, вход 10.8:13.2V DC, выход 12V/80мA, изоляция 1000V DC, корпус SMD ... |
|
|
