Версия для печати
Технические характеристики M24512-RMN6P

Корпус	8-SO
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение питания	1.8 V ~ 5.5 V
Интерфейс подключения	I²C, 2-Wire Serial
Скорость	400kHz
Объем памяти	512K (64K x 8)
Тип памяти	EEPROM
Формат памяти	EEPROMs - Serial
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Память (EEPROM, Flash, RAM)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DC COMPONENTS	245 456	1.12
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FSC
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA		84 304	1.50  >500 шт.   0.50
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC	62	1.68
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	GALAXY
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	Fairchild Semiconductor
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	211	1.37
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	КИТАЙ
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FAIRCHILD
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FAIR
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	UTC
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC ELECTRONICS CORP.
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	KINGTRON
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	KINGTRONICS
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FAIRCHILD
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ONS
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ONS-FAIR
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ON SEMICONDUCTOR
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	YJ	408 107	1.03
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	GALAXY ME
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC ELECTRONICS CORP
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC SEMICONDUCTOR AG	1 024
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	YANGJIE	2 411	1.29  >500 шт.   0.43
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	YANGJIE (YJ)
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	HOTTECH	180 784	1.60  >100 шт.   0.80
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	JANGJIE
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	WUXI XUYANG
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	UNKNOWN
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	0.00
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	GME
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	JSCJ	750 860	1.29
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	1
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	TRR	105 600	1.17  >500 шт.   0.39
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	JSMICRO	168 621	1.54  >100 шт.   0.77
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	XXW	35 579	1.02  >500 шт.   0.34
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	YANGZHOU YANGJIE
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	KEEN SIDE
		1N4148WS		Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	RUME	43 200	1.11  >500 шт.   0.37
		AT45DB321C-CNU		Flash serial 35M bit, 2.7-Volt Only with Two 528-Byte SRAM Buffe	ATMEL
		AT45DB321C-CNU		Flash serial 35M bit, 2.7-Volt Only with Two 528-Byte SRAM Buffe		138	170.10
		AT45DB321C-CNU		Flash serial 35M bit, 2.7-Volt Only with Two 528-Byte SRAM Buffe	4-7 НЕДЕЛЬ	412
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	19 633	2.12
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	INFINEON
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIR
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT	224	1.41
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PHILIPS
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DC COMPONENTS	7 391	2.55
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIOTEC	1 324	1.07
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	MCC
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY	8	3.14
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD	104
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	1 920
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	2 593
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PHILIPS	21
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	Fairchild Semiconductor
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	КИТАЙ
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	INFINEON TECH
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	VISHAY
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		32 398	1.20  >100 шт.   0.60
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FSC
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS-FAIR
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NEXPERIA
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY ME
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	HOTTECH	5 216	1.38  >500 шт.   0.46
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KLS
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SEMTECH
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE	36 000	1.02
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YJ	116 952	1.56
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE (YJ)
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JSCJ	57 169	2.09
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	1
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SUNTAN	5 045	1.17
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	XXW	5 622	1.32  >500 шт.   0.44
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KEEN SIDE	50 564	1.35  >500 шт.   0.45
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	14
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	6500
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ELZET	69 600	1.17  >500 шт.   0.39
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	RUME	48 000	1.35  >500 шт.   0.45
		BAW56		2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	TRR	60 000	1.50  >500 шт.   0.50
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 639	1.70
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DC COMPONENTS	37 709	2.74
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ON SEMICONDUCTOR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MCC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIOTEC	3 019	1.70
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ONS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON	240
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 212
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS	976
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	КИТАЙ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	МАЛАЙЗИЯ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON TECH
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DI
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KINGTRON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц		23 917	1.28  >100 шт.   0.64
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIODES
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PANJIT
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY ME
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	HOTTECH	164 142	1.82  >100 шт.   0.91
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	LRC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH / NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KLS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGJIE (YJ)
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEX-NXP	43 200	2.07
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SEMTECH	2 984	1.06
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YJ	739 447	1.44
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH/NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	CTK	2 489	1.70
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	RUME	170 400	1.14  >500 шт.   0.38
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	OLITECH ELECTRONICS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SUNTAN	82	1.64  >100 шт.   0.82
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEXPERIA	291 067	1.98  >100 шт.   0.99
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	8	1.86  >100 шт.   0.93
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	XXW	304 166	1.17  >500 шт.   0.39
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEEN SIDE	112	1.32  >500 шт.   0.44
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MERRYELC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1999
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	2396
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	2771
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	3112
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	50
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	13825
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	782
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ELZET
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	TRR	947 320	1.14  >500 шт.   0.38
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	VISHAY
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET		106	12.60
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	ФИЛИППИНЫ
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	SHIKUES
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	HOTTECH	249 334	2.00
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	KLS	1 032	4.61
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	SUNTAN	44 233	3.24
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	KEENSIDE
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	KEEN SIDE	4 148	2.00
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	5830
		IRLML2803		Транзистор полевой N-канальный MOSFET	RUME	14 400	3.06

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"