PS2801-4-F3-A

Оптопара, 4 канала, коэф.передачи=80:600%, Iпр=50мА, Uкэ=80В, Uизол=2500В AC, 16-pin SSOP, -55:+100°C, Tape and reel

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PS2801-4-F3-A	1 328	66.86
PS2801-4-F3-A (RENESAS)	7 195	45.45

Версия для печати

Технические характеристики PS2801-4-F3-A

Voltage - Isolation	2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min)	80% @ 5mA
Current Transfer Ratio (Max)	600% @ 5mA
Напряжение выходное	80V
Корпус (размер)	16-SSOP
Тип монтажа	Поверхностный
Тип выхода	Transistor
Vce Saturation (Max)	300mV
Current - DC Forward (If)	50mA
Ток выходной / канал	50mA
Тип входа	DC
Количество каналов	4
Серия	NEPOC
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Output Type	Transistor

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PS2801-4 (Оптроны)

HIGH ISOLATION VOLTAGE SSOP PHOTOCOUPLER

Также в этом файле: PS2801-4-F3-A

Производитель:
California Eastern Labs
//www.cel.com

PS2801-4-F3-A datasheet
443.33Kb
13стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	MICRO SEMICONDUCTOR
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DC COMPONENTS	324 134	3.03
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FSC
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA		86 136	1.16 >100 шт. 0.58
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC	70	1.75
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	GALAXY
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	Fairchild Semiconductor
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	1 171	1.40
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	КИТАЙ
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FAIRCHILD
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FAIR
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	UTC
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC ELECTRONICS CORP.
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC SEMICONDUCTOR
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	KINGTRON
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	KINGTRONICS
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	FAIRCHILD
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ONS
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ONS-FAIR
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	ON SEMICONDUCTOR
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	YJ	474 920	1.03
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	GALAXY ME
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC ELECTRONICS CORP
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	DIOTEC SEMICONDUCTOR AG	1 024
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	YANGJIE	2 411	1.35 >500 шт. 0.45
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	YANGJIE (YJ)
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	HOTTECH	78 723	1.14 >500 шт. 0.38
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	JANGJIE
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	WUXI XUYANG
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	UNKNOWN
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	0.00
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	GME
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	JSCJ	86 372	1.08 >100 шт. 0.54
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	1
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	TRR	105 600	1.26 >500 шт. 0.42
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	JSMICRO	299 506	1.11 >500 шт. 0.37
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	XXW	172 180	1.05 >500 шт. 0.35
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	YANGZHOU YANGJIE
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	KEEN SIDE	9 726	1.26 >500 шт. 0.42
1N4148WS	Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA	RUME	43 200	1.17 >500 шт. 0.39
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	19 673	2.12
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	INFINEON
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIR
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GENERAL SEMICONDUCTOR
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT	246	1.44
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PHILIPS
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DC COMPONENTS	15 029	1.41
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIOTEC	1 324	1.17
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	MCC
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY	8	3.14
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD	104
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	1 920
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	2 593
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PHILIPS	21
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	Fairchild Semiconductor
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	КИТАЙ
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	INFINEON TECH
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	VISHAY
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		32 398	1.32 >100 шт. 0.66
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FSC
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS-FAIR
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NEXPERIA
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY ME
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	HOTTECH	7 304	1.62 >100 шт. 0.81
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KLS
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SEMTECH
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE	36 000	1.08
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YJ	110 751	1.74 >100 шт. 0.87
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE (YJ)
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JSCJ	29 209	1.26 >100 шт. 0.63
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	1
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SUNTAN	8 637	1.18
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	XXW	58 697	1.35 >500 шт. 0.45
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KEEN SIDE	50 884	1.08 >100 шт. 0.54
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	14
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	6500
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ELZET	76 800	1.32 >500 шт. 0.44
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	RUME	48 000	1.47 >500 шт. 0.49
BAW56	2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	TRR	67 200	1.06 >100 шт. 0.53
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIR
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 639	1.70
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DC COMPONENTS	50 769	1.55
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ON SEMICONDUCTOR
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MCC
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIOTEC	3 024	1.70
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ONS
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON	240
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 212
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS	976
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	КИТАЙ
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	МАЛАЙЗИЯ
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON TECH
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DI
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KINGTRON
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц		87 396	1.28 >100 шт. 0.64
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEC
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIODES
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PANJIT
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY ME
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	HOTTECH	650 979	1.04 >100 шт. 0.52
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	LRC
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH / NXP
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KLS
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGJIE (YJ)
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEX-NXP	48 000	2.07
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SEMTECH	3 009	1.08
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YJ	428 000	1.62 >100 шт. 0.81
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH/NXP
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	CTK	2 489	1.70
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	RUME	206 400	1.20 >500 шт. 0.40
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	OLITECH ELECTRONICS
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SUNTAN	82	1.48 >100 шт. 0.74
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEXPERIA	371 428	1.03
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	8	1.92 >100 шт. 0.96
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	XXW	285 285	1.17 >500 шт. 0.39
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEEN SIDE	352	1.35 >500 шт. 0.45
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MERRYELC
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1999
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	2396
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	2771
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	3112
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	50
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	13825
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	782
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ELZET	62 400	0.96 >500 шт. 0.32
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	TRR	961 720	1.20 >500 шт. 0.40
IRLML2803	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLML2803	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	VISHAY
IRLML2803	Транзистор полевой N-канальный MOSFET			13.24
IRLML2803	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	ФИЛИППИНЫ
IRLML2803	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	SHIKUES
IRLML2803	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	HOTTECH	206 547	2.13
IRLML2803	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	KLS	938	4.67
IRLML2803	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	SUNTAN	56 169	3.28
IRLML2803	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	KEENSIDE
IRLML2803	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	KEEN SIDE	4 472	2.26
IRLML2803	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	5830
IRLML2803	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	RUME	16 800	3.26
IRLML5203	P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLML5203	P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)		1 759	2.31
IRLML5203	P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)	ФИЛИППИНЫ
IRLML5203	P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)	HOTTECH	45 352	2.19
IRLML5203	P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)	HUASHUO	35 684	2.10
IRLML5203	P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)	YOUTAI	45 417	1.76
IRLML5203	P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)	UMW	12 800	3.10
IRLML5203	P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)	SUNTAN
IRLML5203	P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)	KUU	4 002	2.19
IRLML5203	P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)	PLINGSEMIC	15 063	1.97
IRLML5203	P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)	KEEN SIDE	728	2.26

PS2801-4-F3-A

Оптопара, 4 канала, коэф.передачи=80:600%, Iпр=50мА, Uкэ=80В, Uизол=2500В AC, 16-pin SSOP, -55:+100°C, Tape and reel

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Оптоэлектроника

Оптроны

Фототранзистор

С этим товаром покупают: