| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 600
|
3.20
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
102 679
|
1.94
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
17 926
|
4.40
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
35 424
|
2.03
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
23 372
|
5.00
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEEN SIDE
|
25 196
|
1.79
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
|
23 680
|
2.46
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
|
23 680
|
2.46
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
HOTTECH
|
2 232
|
2.86
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
JSMICRO
|
14 282
|
2.16
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
754
|
|
|
|
|
LM358(DIP-8) |
|
Двухканальный операционный усилитель
|
|
|
|
|
|
|
LM358(DIP-8) |
|
Двухканальный операционный усилитель
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
LM358(DIP-8) |
|
Двухканальный операционный усилитель
|
PH/NXP
|
10
|
16.51
|
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
2 859
|
16.96
|
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
|
4 776
|
9.65
|
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
248
|
|
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
1534
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
|
947
|
16.65
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
65.59
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
БРЯНСК
|
154
|
36.46
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ФРЯЗИНО
|
476
|
16.96
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
400
|
53.09
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭДЬТАВ
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЬТАВ
|
300
|
16.96
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
120
|
16.96
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
109
|
19.07
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
14
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
151
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
179
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
260
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
342
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
376
|
|
|
|