| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
134 240
|
2.12
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
|
|
4.00
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS
|
1
|
3.84
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 533
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
VBSEMI
|
2 899
|
4.82
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONSEMI
|
128
|
1.55
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
167800
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
161
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
FSC
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
QT OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
FAIRCHILD
|
11
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
EVLT
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
AVAGO TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
HP
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
EVL
|
2 410
|
32.52
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
|
28
|
75.60
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
BROADCOM
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
EVERLIGHT
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
266
|
86.67
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
ERL
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
ISO
|
|
|
|
|
|
6N139 |
|
Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300..2500% 0.135W -40..+85C
|
1
|
|
|
|
|
|
DHR-78F |
|
гнездо 78 pin высокой плотности на плату
|
|
|
758.40
|
|
|
|
DHR-78F |
|
гнездо 78 pin высокой плотности на плату
|
BM
|
|
|
|
|
|
DHR-78F |
|
гнездо 78 pin высокой плотности на плату
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DHR-78F |
|
гнездо 78 pin высокой плотности на плату
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
DHR-78F |
|
гнездо 78 pin высокой плотности на плату
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
DC COMPONENTS
|
9 342
|
3.83
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
MCC
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
LITTELFUSE
|
384
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
|
14 320
|
2.95
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
LTL
|
2 192
|
16.03
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
MICROSEMI
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
TSC
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
BRIGHTKING
|
29
|
7.18
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
WAYON
|
56
|
10.13
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
JJM
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
HOTTECH
|
15 952
|
3.96
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
YJ
|
17 049
|
6.84
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
1
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
TRR
|
16 400
|
2.29
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
KEEN SIDE
|
5 312
|
1.86
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
DIODES
|
126
|
10.60
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
8 689
|
15.50
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
|
23 840
|
6.17
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
NXP
|
161
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
TEXAS
|
8 000
|
7.85
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
408
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
2845
|
|
|
|