![]() |
|
Производитель | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
Количество в упаковке | 1000 шт. |
Вес | 0.352 г |
Допуск емкости | ±10% |
Номинальное постоянное напряжение | 630 В |
Тип диэлектрика | X7R |
Рабочая температура | -55...125 °C |
Tin Plated Layer | |
Размер | 5.7x5.0x2.0 |
Емкость | 0.22 мкФ |
Температурный коэфициент | X7R |
Номинальное напряжение | 630 В |
Серия | GRM |
Корпус (размер) | 2220 |
Тип монтажа | Поверхностный |
Тип | Керамический |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Допустимые отклонения емкости | ±10% |
Tolerance | ±10% |
Рабочая температура | -55°C ~ 125°C |
Сфера применения | General Purpose |
Size / Dimension | 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm) |
Thickness | 0.087" (2.20mm) |
Возможности | High Voltage |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1.5SMC250A | DIOTEC |
![]() |
![]() |
|||||
1.5SMC250A | Littelfuse Inc |
![]() |
![]() |
|||||
1.5SMC250A |
![]() |
![]() |
||||||
1.5SMC250A | LTL |
![]() |
![]() |
|||||
2Т3117А/ПК АЕЯР.432140.247ТУ |
![]() |
![]() |
||||||
6Ж1Б-В | 545 | 52.92 | ||||||
![]() |
![]() |
IRFB18N50K |
![]() |
Транзистор полевой | INTERNATIONAL RECTIFIER |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRFB18N50K |
![]() |
Транзистор полевой | VISHAY |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRFB18N50K |
![]() |
Транзистор полевой | 3 | 364.45 | ||
![]() |
![]() |
IRFB18N50K |
![]() |
Транзистор полевой | Vishay/Siliconix |
![]() |
![]() |
|
LQH32CN100K23L |
![]() |
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MURATA |
![]() |
![]() |
|||
LQH32CN100K23L |
![]() |
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | CHINA |
![]() |
![]() |
|||
LQH32CN100K23L |
![]() |
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) |
![]() |
25.88 | ||||
LQH32CN100K23L |
![]() |
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MUR | 43 255 | 5.11 | |||
LQH32CN100K23L |
![]() |
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | Murata Electronics North America |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|