IRFB18N50K

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFB18N50K	3	364.45

Версия для печати

Технические характеристики IRFB18N50K

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	17A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2830pF @ 25V
Power - Max	220W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB18N50K (N-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFB18N50K datasheet
86.13Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BD140 TO-126			8 000	3.21
BD140 TO-126		PILIPINES
BD140 TO-126		ST MICROELECTRONICS
BD140 TO-126		HOTTECH	400	7.11
BD140 TO-126		TRR	7 112	3.21
LMH6639MF		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LMH6639MF				275.00
LMH6639MF		NSC
LMH6639MF		TEXAS INSTRUMENTS
LMH6639MF		4-7 НЕДЕЛЬ	714
SK016M0220BZF-0611	Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 16 В	YAGEO
SK016M0220BZF-0611	Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 16 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SK016M0220BZF-0611	Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 16 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
SK016M0220BZF-0611	Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 16 В
ВП2Б-1 10А (АНАЛОГ)			6	3.63
ВП2Б-1 10А (АНАЛОГ)			6	3.63
ПК-45 1А (АНАЛОГ)	Предохранитель конический 1А