IRFB18N50K

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFB18N50K	3	364.45

Версия для печати

Технические характеристики IRFB18N50K

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	17A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2830pF @ 25V
Power - Max	220W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB18N50K (N-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFB18N50K datasheet
86.13Kb
8стр.